Промышленное оборудование. СлавПромСтрой. Сварочное, насосное, ПТО, редукторы, отопительное, компрессорное, строительное оборудование, электрооборудование, станочное, вентиляционное, оборудование для автосервиса и ремонта, и пр.
Как проверить транзистор мультиметром — простое руководство
Перед тем как собрать какую-то схему или начать ремонт электронного устройства необходимо убедиться в исправности элементов, которые будут установлены в схему. Даже если эти элементы новые, необходимо быть уверенным в их работоспособности. Обязательной проверке подлежат и такие распространенные элементы электронных схем как транзисторы.
Для проверки всех параметров транзисторов существуют сложные приборы. Но в некоторых случаях достаточно провести простую проверку и определить годность транзистора. Для такой проверки достаточно иметь мультиметр.
Виды транзисторов и их применение
В технике используются различные виды транзисторов – биполярные, полевые, составные, многоэмиттерные, фототранзисторы и тому подобные. В данном случае будут рассматриваться наиболее распространенные и простые — биполярные транзисторы.
Такой транзистор имеет 2 р-n перехода. Его можно представить как пластину с чередующимися слоями с разными типами проводимости. Если в крайних областях полупроводникового прибора преобладает дырочная проводимость (p), а в средней – электронная проводимость (n), то прибор называется транзистор р-n-p. Если наоборот, то прибор называется транзистором типа n-p-n. Для разных видов биполярных транзисторов меняется полярность источников питания, которые подключаются к нему в схемах.
Наличие в транзисторе двух переходов позволяет представить в упрощенном виде его эквивалентную схему как последовательное соединение двух диодов. [attention type=yellow]При этом для p-n-p прибора в эквивалентной схеме между собой соединены катоды диодов, а для n-p-n прибора – аноды диодов. [/attention]В соответствии с этими эквивалентными схемами и производится проверка биполярного транзистора мультиметром на исправность.
Порядок проверки устройства — следуем по инструкции
Процесс измерений состоит из следующих этапов:
проверка работы измерительного прибора;
определение типа транзистора;
измерение прямых сопротивлений эмиттерного и коллекторного переходов;
измерение обратных сопротивлений эмиттерного и коллекторного переходов;
оценка исправности транзистора.
Перед тем, как проверить биполярный транзистор мультиметром, необходимо убедиться в исправности измерительного прибора. Для этого вначале надо проверить индикатор заряда батареи мультиметра и, при необходимости, заменить батарею. При проверке транзисторов важна будет полярность подключения. Надо учитывать, что у мультиметра на выводе «COM» имеется отрицательный полюс, а на выводе «VΩmA» – плюсовой. Для определенности к выводу «COM» желательно подключить щуп черного цвета, а к выводу «VΩmA» -красного.
[attention type=green]Чтобы к выводам транзистора подключить щупы мультиметра правильной полярности, необходимо определить тип прибора и маркировку его выводов. С этой целью необходимо обратиться к справочнику или найти описание транзистора в Интернете.[/attention]
На следующем этапе проверки переключатель операций мультиметра устанавливается в положение измерения сопротивлений. Выбирается предел измерения в «2к».
[blockquote_gray]Каждый радиолюбитель или начинающий электрик должен располагать надежным инструментом для пайки. Совсем не обязательно такой покупать, потому что можно ознакомиться с детальной инструкцией — как сделать паяльник своими руками, и сэкономить лишние денежные затраты.
Кроме паяльника, изучив более сложные схемы, можно собрать целую паяльную станцию. Как это сделать, читайте тут.[/blockquote_gray]
Перед тем, как проверить pnp транзистор мультиметром, надо минусовой щуп подключить к базе устройства. Это позволит измерить прямые сопротивления переходов радиоэлемента типа p-n-p. Плюсовой щуп подключается по очереди к эмиттеру и коллектору. Если сопротивления переходов равны 500-1200 Ом, то эти переходы исправны.
При проверке обратных сопротивлений переходов к базе транзистора подключается плюсовой щуп, а минусовой по очереди подключается к эмиттеру и коллектору. [attention type=red]Если эти переходы исправны, то в обоих случаях фиксируется большое сопротивление.[/attention]
Проверка npn транзистора мультиметром происходит по такой же методике, но при этом полярность подключаемых щупов меняется на противоположную. По результатам измерений определяется исправность транзистора:
если измеренные прямое и обратное сопротивления перехода большие, то это значит, что в приборе имеется обрыв;
если измеренные прямое и обратное сопротивления перехода малы, то это означает, что в приборе имеется пробой.
В обоих случаях транзистор является неисправным.
Оценка коэффициента усиления
Характеристики транзисторов обычно имеют большой разброс по величине. Иногда при сборке схемы требуется использовать транзисторы, у которых имеется близкий по величине коэффициент усиления по току. Мультиметр позволяет подобрать такие транзисторы. Для этого в нем имеется режим переключения «hFE» и специальный разъем для подключения выводов транзисторов 2 типов.
Подключив в разъем выводы транзистора соответствующего типа можно увидеть на экране величину параметра h31.
[blockquote_gray]Для организации требуемого энергоснабжения всех жилых помещений необходимо выбрать корректную схему разводки электропроводки в квартире. Это обеспечит безотказную работу всех приборов от электросети.
При планировании домашней проводки обязательно надо провести расчет сечения кабелей по току. Экономить затраты на электроэнергию поможет установка двухтарифного счетчика.[/blockquote_gray]
Выводы:
С помощью мультиметра можно определить исправность биполярных транзисторов.
Для проведения правильных измерений прямого и обратного сопротивлений переходов транзистора необходимо знать тип транзистора и маркировку его выводов.
С помощью мультиметра можно подобрать транзисторы с желаемым коэффициентом усиления.
Видео о том, как проверить транзистор мультиметром
DataSheet PDF Search Site
Новые списки
Номер детали
Функция
Производители
ПДФ
2CL10KV
ТИП ЗАГЛУШКИ HV ПОДСБОРКА
ГЕТЭ ЭЛЕКТРОНИКА
2CL150KV
ТИП ЗАГЛУШКИ HV ПОДСБОРКА
ГЕТЭ ЭЛЕКТРОНИКА
2N7002KW
N-канальный полевой транзистор с улучшенным режимом
Фэирчайлд Полупроводник
2N7002KW
N-Ch МОП-транзистор малого сигнала
СеКоС
2N7002KW
60-вольтовый N-канальный полевой МОП-транзистор с расширенным режимом
Пан Джит Интернэшнл
2N7002KW
N-канальный МОП-транзистор
JCET
2N7002T
N-канальный МОП-транзистор
JCET
2N7002T
Полевой транзистор N-канального режима улучшения
Фэирчайлд Полупроводник
2N7002T
Маломощный МОП-транзистор
СеКоС
2N7002W
МОП-транзистор малого сигнала
СеКоС
WPT2E33-3TR_8252878.
PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE
WPT2E33-3TR_8252878.PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE
[
WPT2E33-3TR Datasheet PDF Скачать с IC-ON-LINE.CN ] [
WPT2E33-3TR Datasheet PDF Скачать с Datasheet.HK ] [WPT2E33-3TR Datasheet PDF Скачать с Maxim4U.com ] 🙂 [Просмотреть в Интернете]
[ Искать больше для WPT2E33-3TR ]
Диоды для подавления переходных напряжений 100 В Один N-канальный силовой МОП-транзистор MEXFET в корпусе D-Pak; IRFR3910 в стандартной упаковке 30 В, один N-канальный силовой МОП-транзистор MEXFET в корпусе SO-8; IRF7862PBF со стандартной упаковкой 30 В, один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе D2-Pak; IRL2203NS в стандартной упаковке 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET в корпусе TO-220AB; IRFB260N в стандартной упаковке 30 В, один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе SO-8; IRF9410 в стандартной упаковке Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор N-Channel 250 В в корпусе I-Pak; Аналогичен IRFU12N25D в бессвинцовой упаковке 55 В, один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе D-Pak; A IRLR4343 в стандартной упаковке Периферийная ИС 外围芯片
Bourns, Inc. Хоффман ТОКО, Инк.
AM29F080-150EEB AM29F080-150SEB AM29F080-120FEB AM
x8 Flash EEPROM 30 В Одиночный N-канальный МОП-транзистор Power MOSFET в корпусе D2-Pak; Аналогичен IRL3303S в бессвинцовой упаковке 20 В, один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе D2-Pak; Аналогичен IRL3502S в бессвинцовой упаковке 75 В, один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе D2-Pak; Аналогичен IRF3808S в бессвинцовой упаковке 30 В, один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе TO-220AB; Аналогично IRF3707Z с бессвинцовой упаковкой 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET в корпусе D2-Pak; IRFS3307 в стандартной упаковке 30 В, один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе SO-8; Аналогичен IRF7809AV в бессвинцовой упаковке 30 В, один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе D-Pak; IRFR3709ZCPBF со стандартной упаковкой 100-вольтовый одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор MEXFET в корпусе TO-220AB; IRFB59N10D со стандартной упаковкой 30 В, один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе TO-220AB; IRL2703 в стандартной упаковке x8 с EEPROM 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET в корпусе SOT-223; Аналогичен IRFL024N в бессвинцовой упаковке x8闪存EEPROM 100V Single N-Channel MEXFET Power MOSFET в корпусе TO-220 FullPak (Iso); Аналогичен IRFI530N с бессвинцовой упаковкой
20 В один N-канальный силовой МОП-транзистор MEXFET в корпусе I-Pak; IRLU3714Z в стандартной упаковке 80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET в корпусе SO-8; IRF7493 в стандартной упаковке x8/x16 Flash EEPROM 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET в корпусе D2Pak; IRL1404ZS со стандартной упаковкой Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор N-Channel 30 В в корпусе D2-Pak; Аналогичен IRL3803S в бессвинцовой упаковке 55 В, один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе TO-262; Аналогичен IRF1405ZL в корпусе, не содержащем свинца 100 В, один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе TO-220AB; IRL540N в стандартной упаковке 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET в корпусе D-Pak; Аналогичен IRFR024N в бессвинцовой упаковке 75 В, один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе I-Pak; Аналогичен IRFU2407 в бессвинцовой упаковке 100 В, один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе D-Pak; IRFR3410 со стандартной упаковкой 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET в корпусе I-Pak; IRFU2407 в стандартной упаковке Одноканальный N-канальный цифровой аудио МОП-транзистор мощностью 150 В в корпусе TO-220AB; А IRFB4019PBF со стандартной упаковкой 20V Single N-Channel MEXFET Power MOSFET в корпусе TO-262; IRF1302L со стандартной упаковкой Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор N-Channel 55 В в корпусе D-Pak; IRFR2405 в стандартной упаковке Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор N-Channel 200 В в корпусе D2-Pak; IRF630NS с лентой и катушкой, правая упаковка 30 В, один N-канальный силовой МОП-транзистор MEXFET в корпусе D-Pak; IRLR7843 со стандартной упаковкой 80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET в корпусе I-Pak; IRFU3418 в стандартной упаковке 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET в корпусе TO-262; IRF540ZL со стандартной упаковкой 100-вольтовый одиночный N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе TO-220AB; IRF540N со стандартной упаковкой Одноканальный мощный МОП-транзистор N-Channel, 20 В, в MP DirectFET, 59 А Одноканальный мощный МОП-транзистор N-Channel, 55 В, в корпусе I-Pak; Аналогичен IRLU3705Z в бессвинцовой упаковке 30 В, один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе I-Pak; Аналогично IRLU3303 с бессвинцовой упаковкой 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET в корпусе I-Pak; IRLU024Z со стандартной упаковкой 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET в корпусе D2-Pak; IRF3704ZCS в стандартной упаковке Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор N-Channel 200 В в корпусе D2-Pak; Аналогичен IRF630NS в корпусе, не содержащем свинца 55 В, один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе TO-262; Аналогичен IRFZ46ZL в бессвинцовой упаковке 60 В, один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе D2-Pak; Аналогично IRFZ34VS с бессвинцовой упаковкой 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET в корпусе TO-262; IRL7833L со стандартной упаковкой 30 В, один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе TO-220AB; IRL3103 со стандартной упаковкой 12V Single N-Channel MEXFET Power MOSFET в корпусе SO-8; Аналогичен IRF7476 в бессвинцовой упаковке x8/x16 闪存EEPROM 100 В Один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе SO-8; IRF7495 в стандартной упаковке x8/x16 с EEPROM
Advanced Micro Devices, Inc. Аэрофлекс, Инк.
IRLML5103 IRLML5103PBF IRLML5103TR
-30 В Одноканальный мощный МОП-транзистор P-Channel в корпусе Micro 3 Мощный МОП-транзистор (Vdss=-30 В, Rds(on)=0,60 Ом)
IRF [Международный выпрямитель]
ИРФ9410 ИРФ9410ТР
30 В, один N-канальный силовой МОП-транзистор MEXFET в корпусе SO-8 Силовой МОП-транзистор (Vdss=30 В/ Rds(on)=0,030 Ом)
Если в крайних областях полупроводникового прибора преобладает дырочная проводимость (p), а в средней – электронная проводимость (n), то прибор называется транзистор р-n-p. Если наоборот, то прибор называется транзистором типа n-p-n. Для разных видов биполярных транзисторов меняется полярность источников питания, которые подключаются к нему в схемах.
Совсем не обязательно такой покупать, потому что можно ознакомиться с детальной инструкцией — как сделать паяльник своими руками, и сэкономить лишние денежные затраты.
По результатам измерений определяется исправность транзистора:
Это обеспечит безотказную работу всех приборов от электросети.
PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE
, L… 
5AI（丙| 